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本发明属于单晶金刚石制备工艺技术领域，具体涉及一种切割面直接生长制备CVD单晶金刚石的工艺。本发明针对现有技术中存在的不足，提出了一种切割面直接生长制备CVD单晶金刚石的工艺，通过激光切割精加工的方式降低单晶金刚石的表面粗糙度，并使用CO2...
该专利属于中南钻石有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中南钻石有限公司授权不得商用。

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