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本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制备方法，涉及光电探测技术领域；包括钳位光电二极管和转移晶体管；钳位光电二极管包括P型外延层以及多个像素单元，像素单元包括N型埋层、P型钳位层和P型埋层；多个N型埋层将P型埋层包裹在内，P型钳位层形成于...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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