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本发明公开了一种碳化硅外延结构、脉冲式生长方法及其应用，采用化学气相沉积法在碳化硅单晶衬底上制造包含碳化硅外延层的碳化硅单晶晶片，当生长反应室内达到碳化硅外延层的生长条件时，在反应室内通入碳源和硅源，通过脉冲的方式每间隔脉冲时间交替改变碳源...
该专利属于厦门紫硅半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门紫硅半导体科技有限公司授权不得商用。

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