温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种SOILDMOS器件形成于混合衬底上。包括SOI区和非隔离区，非隔离区为没有介质埋层的半导体衬底。栅极结构、沟道区和源区形成于半导体衬底中，漏区形成于SOI衬底的半导体顶层中。栅极结构采用穿过沟道区的沟槽栅。源区形成于沟道区...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。