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本公开提供能抑制栅电极的特性的变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体层；绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有开口；栅电极，经由所述开口连接于所述半导体层；以及保护膜，覆盖所述栅电极，所述绝缘膜具有：所述半导体层侧的...
该专利属于住友电工光电子器件创新株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电工光电子器件创新株式会社授权不得商用。

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