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本发明提供一种离子注入工艺监控方法及其离子注入工艺，该离子注入工艺监控方法包括以下步骤：提供一待离子注入晶圆，并于晶圆的上表面依次形成保护层及光阻层，将晶圆固定于靶盘上，基于光阻层对晶圆进行离子注入；读出离子注入机台的工作日志中离子束带的扫...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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