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本发明提供一种BTO结构的制备方法，于第一导电类型外延层中形成沟槽，采用CVD法于沟槽内形成氧化硅层，而后形成氮化硅层，通过刻蚀法去除部分氧化硅层及氮化硅层后，于沟槽内形成栅氧化层及栅多晶硅层；本发明可于沟槽底部形成均匀性容易控制、一致性较...
该专利属于瑶芯微电子科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑶芯微电子科技（上海）有限公司授权不得商用。

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