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本发明公开了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，其中隧穿场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、异质结、导电电极层以及介质层，所述半导体衬底的上方设置所述绝缘层，所述绝缘层上方设置所述异质结，所述异质结的上方设置所述介质层，在所述异质结的两侧以及...
该专利属于中国科学院重庆绿色智能技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院重庆绿色智能技术研究院授权不得商用。

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