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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：基底上形成有鳍部、以及覆盖部分鳍部的层间介质层，层间介质层中形成有栅极开口，栅极开口中部分高度的鳍部作为沟道鳍部，栅极开口两侧鳍部中形成有源漏掺杂层，其中，源漏掺杂层包括位于栅极开口一侧的漏掺杂层；...
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