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本实用新型提供了一种集成电路，其中，该集成电路包括多个存储单元，存储单元包括：设置在衬底上的有源区和栅极层，该有源区包括位于栅极层一侧的源端和位于栅极层另一侧的漏端：源电极、漏电极和栅电极，源电极和栅电极分别复用第一引线通孔连通至前述的源端...
该专利属于北京集创北方科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集创北方科技股份有限公司授权不得商用。

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