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本实用新型提供了一种半导体结构及晶体管器件。通过将金属硅化物层限制在开窗的正下方而未扩展至开窗之外的区域，避免了金属硅化物层内的金属扩散至周边组件而产生不良影响。例如，在晶体管器件中，即可避免源漏区内的金属硅化物层中的金属横向扩散至栅极结构...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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