半导体结构及晶体管器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体结构及晶体管器件。通过将金属硅化物层限制在开窗的正下方而未扩展至开窗之外的区域，避免了金属硅化物层内的金属扩散至周边组件而产生不良影响。例如，在晶体管器件中，即可避免源漏区内的金属硅化物层中的金属横向扩散至栅极结构的问题，有利于提高所形成的半导体结构的器件性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及晶体管器件


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及晶体管器件。

技术介绍

[0002]半导体
中，金属硅化物层被广泛应用于多种半导体器件中，例如，在晶体管器件中普遍利用金属硅化物降低源漏区和导电插塞之间的接触电阻。目前，金属硅化物层通常是利用金属与硅反应生成。而随着半导体技术的发展，半导体集成电路趋于更高的集成度，使得金属硅化物层在其制备过程中及其制备完成后容易出现扩散的金属对其他组件造成影响的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种半导体结构，以解决金属硅化物层中的金属容易扩散至周边组件的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体结构包括：介质层，形成在一衬底上，所述介质层中形成有开窗；金属硅化物层，形成在暴露于所述开窗内的衬底上，并且所述金属硅化物层的侧边界未超出所述开窗的侧边界。
[0005]可选的，所述金属硅化物层的厚度从开窗的中心至开窗的边缘依次降低。
[0006]可选的，所述金属硅化物层在竖直方向上的截面形状为三角形。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：介质层，形成在一衬底上，所述介质层中形成有开窗；金属硅化物层，形成在暴露于所述开窗内的衬底上，并且所述金属硅化物层的侧边界未超出所述开窗的侧边界。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层的厚度从开窗的中心至开窗的边缘依次降低。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层在竖直方向上的截面形状为三角形。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括金属氮化物层和导电插塞，所述金属氮化物层位于所述金属硅化物层之上,所述导电插塞位于所述金属氮化物层之上。5.如权利要求1
‑
4任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：掺杂区，形成在所述衬底中并至少部分暴露于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗启仁，童宇诚，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：