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本发明公开了一种锗硅沟道形成方法，其基于绝缘体上硅工艺，包括：提供一覆盖有牺牲氧化层和氮化层的绝缘体上硅半导体衬底，其划分为N型晶体管区域和P型晶体管区域；光刻胶涂布显影，通过刻蚀去除P型晶体管区域的牺牲氧化层和氮化层；仅在P型晶体管区域选...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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