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半导体器件、半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:34910682
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一种半导体器件(20)包括半导体晶圆或单个半导体芯片或管芯(120)以及层叠置体。所述层叠置体包括:包括NiSi的第一层(126);以及包括NiV的第二层(125),其中第二层(125)布置在第一层(126)和半导体晶圆或单个半导体芯片或管...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。
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