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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成覆盖第一器件区的基底的栅氧化层；在基底上形成多晶硅栅极材料，覆盖栅氧化层；在配置区的多晶硅栅极材料中形成边缘凹槽；图形化多晶硅栅极材料以及刻蚀边缘凹槽下方的栅氧化层，保留位于栅极区的多晶硅栅极材...
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