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本发明提供一种浅沟槽隔离结构与金属氧化物半导体器件的制造方法，在半导体衬底中形成浅沟槽以后，刻蚀半导体衬底上的硬掩膜层暴露于第一开口的边界区域，以增加第一开口的横向开口尺寸，从而形成第二开口，并使得硬掩膜层和缓冲层之间具有台阶，然后刻蚀硬掩...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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