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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基底、以及形成在基底表面的金属线图案，该金属线图案包含多根间隔分布的金属线。金属线图案的上表面还覆盖有绝缘膜，且绝缘膜与基底表面间隔分布，以在任意相邻的两根金属线之间形成绝缘隔离该相邻...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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