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本发明提供一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，采用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，以降低硅氧化物膜层表面上的氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力；采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，以移除硅...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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