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本发明涉及绝缘体上覆半导体晶圆、含晶体管的半导体结构及其形成与操作方法，绝缘体上覆半导体晶圆包括支撑基材、位在该支撑基材上方的电性绝缘层、及位在该电性绝缘层上方的半导体层。半导体结构包括晶体管。该晶体管包括在支撑基材上方含有压电材料的电性绝...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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