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本发明涉及一种宽度可调的高速脉冲发生器电路及高速脉冲产生方法。该宽度可调的高速脉冲发生器电路，包括晶体管M1～M9，其中晶体管M1、M4、M6为PMOS，晶体管M2、M3、M5、M7、M8、M9为NMOS；M8、M9组成的支路作为一个单元，...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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