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本发明涉及一种防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法以及防护膜组件的制造方法，所述防护膜包含碳纳米管，所述碳纳米管至少在表面层侧含有碳的至少一部分被硅取代的碳化硅层。一部分被硅取代的碳化硅层。一部分被硅取代的碳化硅层。...
该专利属于三井化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三井化学株式会社授权不得商用。

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