防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法以及防护膜组件的制造方法，所述防护膜包含碳纳米管，所述碳纳米管至少在表面层侧含有碳的至少一部分被硅取代的碳化硅层。一部分被硅取代的碳化硅层。一部分被硅取代的碳化硅层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法及半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]防护膜组件所使用的防护膜通常通过在硅晶片基板上层叠氮化硅(SiN)等来制造。
[0003]另一方面，作为对于光(例如EUV光)的透过性和耐性优异的材料，可举出碳纳米管，使用了碳纳米管膜的防护膜组件的开发正在进行。
[0004]例如，专利文献1中公开了使用了碳纳米管膜的EUV用防护膜组件。
[0005]此外，专利文献2中公开了在碳纳米管膜上形成涂层的EUV用防护膜组件。
[0006]专利文献1：国际公开第2014/142125号
[0007]专利文献2：日本特开2018
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194840号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]由于碳纳米管显示优异的强度，因此认为通过将碳纳米管用于防护膜组件，从而能够提高防护膜的强度。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种防护膜，其包含碳纳米管，所述碳纳米管至少在表面层侧含有碳的至少一部分被硅取代的碳化硅层。2.根据权利要求1所述的防护膜，所述碳化硅层的含量相对于所述碳纳米管的总质量为10质量％～100质量％的范围。3.根据权利要求1或2所述的防护膜，膜的厚度为2nm以上200nm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的防护膜，所述碳纳米管中的管的直径为0.8nm以上400nm以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的防护膜，所述碳纳米管为单壁碳纳米管或多壁碳纳米管。6.根据权利要求5所述的防护膜，所述单壁碳纳米管中的捆的粗细为4nm～400nm。7.根据权利要求5所述的防护膜，所述多壁碳纳米管的单纤维的粗细为4nm～400nm。8.根据权利要求1～7中任一项所述的防护膜，其用于使用EUV光的曝光。9.一种防护膜组件，其具备：权利要求1～8中任一项所述的防护膜、以及支撑所述防护膜的支撑框。10.一种曝光原版，其包含：具有图案的原版、以及安装于所述原版中的具有图案一侧的...

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保敦，高村一夫，石川比佐子，小野阳介，藤井泰久，吉川弥，松本信子，出口朋枝，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：