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本发明属集成电路技术领域，涉及一种抗辐射容错触发器的制备方法，包括，使用三个传统D触发器、一个异或门、一个2选1选择器和两个延时电路构造一个抗辐射容错触发器；输入数据同时写入主用D触发器和备用D触发器；输入数据经延时电路延迟指定时间后写入第...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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