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本发明公开了一种浅沟槽隔离方法以及浅沟槽隔离结构，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有存储单元阵列区以及外围电路控制区，所述存储单元阵列区形成有第一浅沟槽，所述外围电路控制区形成有第二浅沟槽；在所述第一浅沟槽内以及所述第二浅沟槽内形成厚...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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