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公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括第一区域和第二区域；第一层间绝缘层，位于第二区域上；盖层，设置在第一层间绝缘层上，盖层的上表面包括第一沟槽；导电图案，在盖层上间隔开，导电图案的侧表面与第一沟槽的内侧表面对齐；以及外...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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