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本实用新型公开了一种高宽带低插入损耗的SiGe数字步进衰减器，包括主电路以及连接在主电路上的低衰减单元和高衰减单元，低衰减单元和高衰减单元具有若干个，若干个低衰减单元与若干个高衰减单元交替分布，低衰减单元采用简化的T型衰减单元，高衰减单元采...
该专利属于韦华半导体（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过韦华半导体（苏州）有限公司授权不得商用。

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