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本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有双沟道二极管的沟槽栅SiC MOSFET器件及其制备方法，通过第二源极多晶硅与第二沟道二极管氧化层、第二P型区和第二源区配合设置形成第二沟道二极管；通过源沟槽与第一沟道二极管栅氧化层、基区和...
该专利属于深圳市威兆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体股份有限公司授权不得商用。

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