温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明属于功率半导体器件技术领域,具体涉及一种具有双沟道二极管的沟槽栅SiC MOSFET器件及其制备方法,通过第二源极多晶硅与第二沟道二极管氧化层、第二P型区和第二源区配合设置形成第二沟道二极管;通过源沟槽与第一沟道二极管栅氧化层、基区和...该专利属于深圳市威兆半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市威兆半导体股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明属于功率半导体器件技术领域,具体涉及一种具有双沟道二极管的沟槽栅SiC MOSFET器件及其制备方法,通过第二源极多晶硅与第二沟道二极管氧化层、第二P型区和第二源区配合设置形成第二沟道二极管;通过源沟槽与第一沟道二极管栅氧化层、基区和...