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本发明提供一种浅沟槽的制备方法，通过在所述图形化的硬掩模层上以及所述第一凹槽的内壁上通过LPCVD工艺形成氧化物膜层；以所述氧化物侧墙为掩模，刻蚀所述半导体衬底，以在所述第二凹槽底部形成第三凹槽，所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽连通且构成浅...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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