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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于光子芯片的红外光电探测器及其制造方法，所述红外光电探测器主要包括重型N掺杂InP衬底、重型N掺杂InP缓冲层、DBR层、低N掺杂InGaAs吸收层、N掺杂InP帽层、SiO2钝化层、Ti/Pt/Au...该专利属于山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司授权不得商用。