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本申请涉及一种竖直存取线多路复用器。一种存取线多路复用器可在存储器单元的竖直堆叠层下形成。所述多路复用器可包含耦合到竖直存取线、耦合到水平存取线且耦合到第二晶体管的第一晶体管。所述第二晶体管可耦合到电源。所述晶体管可为n型金属氧化物半导体晶...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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