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本公开涉及一种基于晶圆级封装的MEMS气体传感器及其制造方法。传感器包括：介质层覆盖在第一衬底的第一面上；各硅通孔贯穿第一衬底和介质层；第一绝缘层覆盖在第一衬底的第二面且暴露出各硅通孔；各电极位于第一衬底的第二面且与硅通孔连接；传感器主体的...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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