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本发明公开了一种混合衬底的形成方法，包括：步骤一、提供一SOI衬底，在SOI衬底的半导体顶层表面形成硬质掩膜层。步骤二、定义出半导体衬底的形成区域并进行刻蚀形成沟槽。步骤三、进行快速热氧化工艺在沟槽的底部表面和侧面暴露的半导体材料表面形成第...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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