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本发明公开了一种FDSOI源漏外延生长方法，包括：按现有工艺制造FDSOI直至沉积第一层隔离侧墙；刻蚀去除绝缘体硅顶部和栅极顶部的第一层隔离侧墙，保留栅极两侧的第一层隔离侧墙；绝缘体硅顶部生长硅外延，打开沟槽窗口；NMOS源漏区域第一材料外...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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