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多比特存内内积暨异或单元、异或向量及操作方法，包括N个并联的1FeFET1R结构、输入晶体管、第一反相器和第二反相器，N为大于1的自然数，所述1FeFET1R结构包括电连接的FeFET和电阻，每个1FeFET1R结构的电阻均与输入晶体管电连...
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