温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种具有镍铁合金层的QFN封装结构，包括：晶圆硅层、芯片压区和钝化层，钝化层上的支撑层，支撑层上的种子层，种子层上的镍铁合金层，引线框架，引线框架包括基岛和引脚，晶圆硅层粘贴于基岛，芯片压区与引脚通过键合线连接，通过塑封料层...
该专利属于江苏芯德半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏芯德半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。