一种具有镍铁合金层的QFN封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有镍铁合金层的QFN封装结构，包括：晶圆硅层、芯片压区和钝化层，钝化层上的支撑层，支撑层上的种子层，种子层上的镍铁合金层，引线框架，引线框架包括基岛和引脚，晶圆硅层粘贴于基岛，芯片压区与引脚通过键合线连接，通过塑封料层将引线框架上的部件包覆。本实用新型专利技术提供了一种镍铁合金层与QFN封装方式相结合的封装结构，凭借镍铁合金的电磁屏蔽功能，使芯片在运行时不受外来磁场的干扰，提高芯片的抗磁性干扰能力，在镍铁合金层的下方设置支撑层，可防止钝化层被压裂且可充当隔离层，以便镍铁合金层和芯片之间形成间隙。成间隙。成间隙。

【技术实现步骤摘要】
一种具有镍铁合金层的QFN封装结构


[0001]本技术涉及半导体封装
，更具体涉及一种具有镍铁合金层的QFN封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体芯片制造业的飞速发展，半导体芯片的功能越来越复杂，越来越集成化。例如，将半导体芯片和薄膜结构集成在一起，该薄膜结构具有良好的各向异性磁电阻效应，能够作为磁性传感器的敏感元件，将磁性能转换成电信号，从而以这种方式检测磁场、角度等物理量。
[0003]传统封装不断创新、演变，出现了各种新型的芯片封装结构。方形扁平无引脚封装简称为QFN封装，就是一种新型的芯片封装结构，由于该芯片封装结构具有体积小、重量轻、杰出的电性能和热性能等优点，得以飞速发展。
[0004]基于此，本申请提供一种将薄膜结构和半导体芯片集成的QFN封装结构。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本技术提供了一种具有镍铁合金层的QFN封装结构，能够将镍铁合金层集成与半导体芯片集成封装，使得封装体同时具备敏感元件的功能。
[0006]根据本技术的一个方面，提供了一种具有镍铁合金层的QFN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有镍铁合金层的QFN封装结构，其特征在于，包括晶圆硅层、芯片压区和钝化层，形成于所述钝化层上的支撑层，形成于所述支撑层上的种子层，形成于所述种子层上的镍铁合金层，引线框架，所述引线框架包括基岛和引脚，所述晶圆硅层粘贴于基岛，所述芯片压区与引脚通过键合线连接，通过塑封料层将引线框架上的部件包覆。2.根据权利要求1所述的具有镍铁合金层的QFN封装结构，其特征在于，所述基岛与晶圆硅层之间通过粘合层粘贴。3.根据权利要求1所述的具有镍铁合金层的QFN封装结构，其特征在于，所述晶圆硅层的厚度可减薄。4.根据权利要求1所述的具有镍铁合金层的QFN封装结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周江南，罗杰，郑小明，谢雨龙，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：