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本发明公开了一种精准制备单层或一定层数少层石墨炔的方法，以衬底负载的少层石墨炔为初始材料，利用低价铀对其进行还原刻蚀，即将其在隔绝水、氧气以及氮气的条件下浸泡在一定体积和浓度的低价铀溶液中一段时间，之后将材料取出，清洗掉材料上的低价铀，获得...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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