一种精准制备单层或一定层数少层石墨炔的方法技术

本发明专利技术公开了一种精准制备单层或一定层数少层石墨炔的方法，以衬底负载的少层石墨炔为初始材料，利用低价铀对其进行还原刻蚀，即将其在隔绝水、氧气以及氮气的条件下浸泡在一定体积和浓度的低价铀溶液中一段时间，之后将材料取出，清洗掉材料上的低价铀，获得单层或一定层数的少层石墨炔。本发明专利技术方法通过调节低价铀刻蚀溶液的浓度、溶液体积、刻蚀时间、刻蚀温度以及刻蚀方式等因素，实现了单层或指定层数少层石墨炔的精准制备。该方法通过低价铀还原性刻蚀手段得到了层数均一的单层或少层石墨炔，避免了不同层数石墨炔混合物的生成，相对于现有技术，可以得到纯度较高的单层或指定层数的少层石墨炔产物。层数的少层石墨炔产物。层数的少层石墨炔产物。

【技术实现步骤摘要】
一种精准制备单层或一定层数少层石墨炔的方法


[0001]本专利技术属于碳材料制备
，特别涉及一种通过低价铀还原刻蚀精准制备单层或一定层数少层石墨炔的方法。

技术介绍

[0002]石墨炔是一种由sp杂化的碳原子以及sp2杂化的碳原子构成的新型的碳单质二维材料，在电池领域（C.S.Huang,Y.J.Li,N.Wang,Y.R.Xue,Z.C.Zuo,H.B.Liu,Y.L.Li.ProgressinResearchinto2DGraphdiyne
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BasedMaterials[J].Chem.Rev.2018,118,7744
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7803），催化领域(R.J.Liu,H.B.Liu,Y.L.Li,Y.P.Yi,X.K.Shen,S.S.Zhang,X.L.Yu,S.J.Zhang,H.B.Cao,G.J.Zhang.Nitrogen
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dopedgraphdiyneasametal
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freecatalystforhigh
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performanceo本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种精准制备单层或一定层数少层石墨炔的方法，其特征在于，以衬底负载的少层石墨炔为初始材料，利用低价铀对其进行还原刻蚀，即将其在隔绝水、氧气以及氮气的条件下浸泡在一定体积和浓度的低价铀溶液中一段时间，之后将材料取出，清洗掉材料上的低价铀，获得单层或一定层数的少层石墨炔。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，浸泡操作在氩气手套箱中进行，以实现隔绝水、氧气以及氮气的条件。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低价铀溶液是指含三价铀和/或四价铀的有机溶液。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述低价铀溶液选自：三价铀的四氢呋喃溶液，三价铀和四价铀的四氢呋喃混合溶液，三价铀的四氢呋喃溶液和四价铀的乙醚溶液的混合溶液。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈兴海，熊世杰，张雨晨，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：