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本实用新型公开了一种SAW晶片结构，包括压电衬底和涂覆式支撑层；所述涂覆式支撑层覆盖所述压电衬底的背面和侧面，并延伸至覆盖所述压电衬底的正面的边缘；所述涂覆式支撑层由介电材料形成，厚度为5～20μm。涂覆式支撑层包覆压电衬底的背面、侧面以及...
该专利属于泉州市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泉州市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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