一种SAW晶片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SAW晶片结构，包括压电衬底和涂覆式支撑层；所述涂覆式支撑层覆盖所述压电衬底的背面和侧面，并延伸至覆盖所述压电衬底的正面的边缘；所述涂覆式支撑层由介电材料形成，厚度为5～20μm。涂覆式支撑层包覆压电衬底的背面、侧面以及正面边缘，一方面为薄且脆的压电衬底提供刚性支撑，另一方面通过对侧面以及正面边缘的包覆避免边缘受力造成的损伤，从而可避免制程过程中脆性的压电衬底容易破片的问题，提升整体的在线良率。提升整体的在线良率。提升整体的在线良率。

【技术实现步骤摘要】
一种SAW晶片结构


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种SAW晶片结构。

技术介绍

[0002]声表面波(SAW)滤波器广泛应用于信号接收机前端以及双工器和接收滤波器。SAW滤波器集低插入损耗和良好的抑制性能于一身，可实现宽带宽和小体积。习知的SAW滤波器，电输入信号通过间插的金属叉指换能器(IDT)转换为声波，这种IDT是在压电衬底上形成的。
[0003]SAW产品的衬底一般为LT(LiTaO3)或LN(LiNbO3)，其性质又薄又脆，故工艺流程中，破片问题是影响在线良率(line yield)的重要因素。尤其在流片过程中，衬底边缘缺角极易成为破片的开端，最终导致衬底破裂以及性能失效。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种SAW晶片结构。
[0005]为了实现以上目的，本技术的技术方案为：
[0006]一种SAW晶片结构，包括压电衬底和涂覆式支撑层；所述涂覆式支撑层覆盖所述压电衬底的背面和侧面，并延伸至覆盖所述压电衬底的正面的边缘；所述涂覆式支撑层由介电材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SAW晶片结构，其特征在于：包括压电衬底和涂覆式支撑层；所述涂覆式支撑层覆盖所述压电衬底的背面和侧面，并延伸至覆盖所述压电衬底的正面的边缘；所述涂覆式支撑层由介电材料形成，厚度为5～20μm。2.根据权利要求1所述的SAW晶片结构，其特征在于：所述涂覆式支撑层是SOG层。3.根据权利要求1所述的SAW晶片结构，其特征在于：所述涂覆式支撑层覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕致远，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：