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本发明提供了一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，属于太赫兹技术领域，调制器的结构包括超材料层、衬底层、金属板和金属电极；超材料层由周期性阵列结构组成，结构单元通过金走线与一个金属电极进行电连接，衬底层为具有负微分电阻效应的
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该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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