一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器制造技术

本发明专利技术提供了一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，属于太赫兹技术领域，调制器的结构包括超材料层、衬底层、金属板和金属电极；超材料层由周期性阵列结构组成，结构单元通过金走线与一个金属电极进行电连接，衬底层为具有负微分电阻效应的

【技术实现步骤摘要】
一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器


[0001]本专利技术涉及一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，属于太赫兹器件制造的


技术介绍

[0002]太赫兹波是一种频率在0.1
‑
10THz之间的电磁波，在电磁波谱图上处于微波和红外波段之间。与微波技术相比，太赫兹技术具有更高的分辨率，与光波技术相比，太赫兹波具有更低的能量和更强的穿透能力，可以被广泛地应用在雷达、安全检查、成像等领域。但是因为很多自然材料对太赫兹波的电磁响应非常弱，所以太赫兹技术的发展受到了一定限制。而超材料作为一种人工电磁材料，由周期性或非周期性排列的金属结构组成，可以对太赫兹波的幅度、相位、偏振、传播方式等进行有效地调控，可实现很多太赫兹功能器件，比如吸收器、光开关、偏振器件等。
[0003]目前国内外的很多研究都集中在主动可调太赫兹超材料器件上。主动可调太赫兹超材料器件的实现方式一般有三种。第一种是在开口谐振环的开口处集成一些非线性元件(例如耿式二极管，肖特基二极管，变容二极管)或者一些非线性材料。第二种是基于微纳机电系统的机械本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，其特征在于，该太赫兹调制器包括超材料层、衬底层、金属板和金属电极；在衬底层(4)的下面为第一高掺杂半导体层(6)，在第一高掺杂半导体层(6)的下面为金属板(5)，在衬底层(4)的上面为第二高掺杂半导体层(7)，在第二高掺杂半导体层(7)的上面为金属电极(1)和超材料层包括结构单元(2)、金属走线(3)。2.根据权利要求1所述的基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，其特征在于，所述超材料层包括周期性排列的结构单元(2)，各个结构单元(2)通过金属走线(3)纵向连接以及通过金属走线(3)与金属电极(1)相连进行电连接。3.根据权利要求2所述的基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，其特征在于，所述的结构单元(2)为方形结构、开口谐振环或环形结构中的一种。4.根据权利要求1所述的基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，其特征在于，所述衬底层(4)为
Ⅲ‑Ⅴ
族半导体，为具有负微分电阻效应的半导体材料。5.根据权利要求1所述的基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，其特征在于，所述金属板(5)做为衬底层(4)下面的一个电极。6.根据权利要求1所述的基于负微分电阻效应的超材料太赫兹调制器，其特征在于，所述超材料层、金属板(5)和金属电极(1)的材料为金、...

【专利技术属性】
技术研发人员：于虹，陈颖，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：