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本发明公开的硅光电倍增管光敏区有效填充因子的测量方法，包括将硅光电倍增管放在电磁屏蔽盒内，装在精密位移台上；通过显微镜中针孔透光片使皮秒激光束在硅光电倍增管的表面聚焦成光斑；通过稳压电源向硅光电倍增管供电，输出的雪崩脉冲信号先经过高速低噪声...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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