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本发明公开了高压碳化硅芯片的封装结构及其制备方法，该封装结构包括：陶瓷管壳、陶瓷盖板、芯片模块和绝缘填充物，陶瓷盖板盖设在陶瓷管壳的上端，芯片模块包括底座、基板、碳化硅芯片、键合线、第一电极端子和第二电极端子，底座盖设在陶瓷管壳的下端，基板...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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