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本发明公开了一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法，其中缺陷阻障结构包括至少一层设置于碳化硅衬底与碳化硅外延层之间的碳化硅缓冲层，以及至少一层生长于碳化硅衬底和碳化硅缓冲层的之间的碳化硅缺陷阻障层。碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度高于碳化硅衬底，碳...
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