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本发明题为“包括非易失性存储单元的电子器件及其形成方法”。本公开涉及一种包括NVM单元的电子器件。该NVM单元可包括漏极/源极区、源极/漏极区、浮栅电极、控制栅电极和选择栅电极。可能使用在同一管芯上形成功率晶体管、高压晶体管和低压晶体管的工...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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