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本发明涉及外延片阻值测量前处理方法，其包括步骤：(1)、清洗；(2)、甩干；(3)加热干燥；(4)除静电。本发明中外延片阻值测量前处理方法，溢流槽工艺变为溢流+快排工艺，保证晶片表面酸碱残留被冲洗干净，免于影响量测效果；利用除静电处理，消除...
该专利属于上海晶盟硅材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海晶盟硅材料有限公司授权不得商用。

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