外延片阻值测量前处理方法技术

本发明专利技术涉及外延片阻值测量前处理方法，其包括步骤：(1)、清洗；(2)、甩干；(3)加热干燥；(4)除静电。本发明专利技术中外延片阻值测量前处理方法，溢流槽工艺变为溢流+快排工艺，保证晶片表面酸碱残留被冲洗干净，免于影响量测效果；利用除静电处理，消除晶片表面的静电以及悬挂键，减少阻值量测的影响。经本发明专利技术中的外延片阻值测量前处理方法处理后的外延片，其阻值均一性<1.5％，相对于业内要求<3％的指标，完全符合要求。符合要求。

【技术实现步骤摘要】
外延片阻值测量前处理方法


[0001]本专利技术涉及外延片阻值测量前处理方法。

技术介绍

[0002]外延片在测量阻值之前需要进行清洗。常用的清洗工艺包括步骤：清洗、甩干，然后测量。清洗步骤中，包括利用浓度25％
‑
40％的HF清洗+纯水溢流冲洗+再使用H2O2(浓度15％
‑ꢀ
30％)/NH4OH(浓度15％
‑
30％)处理+纯水溢流冲洗+显影液处理。处理完成后，使用测量设备测量电阻率。这种方案存在较大的问题，主要由于前处理影响阻值均一性2％
‑
10％波动(计算公式：((max
‑
min)/(max+min)
‑
1)*100％。而业内一般要求阻值均一性<3％。因此，现有的阻值测量前处理方法稳定性较差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种稳定性好的外延片阻值测量前处理方法。
[0004]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案实现：
[0005]外延片阻值测量前处理方法，其特征在于，包括步骤：
[0006](1)、清洗；(2)、甩干；(3)加热干燥；(4)除静电。
[0007]根据本专利技术的一个实施方案，所述步骤(2)和步骤(3)同时进行，在甩干的同时加热干燥并除静电。
[0008]根据本专利技术的一个实施方案，所述加热干燥采用氮气加热干燥。
[0009]根据本专利技术的一个实施方案，所述加热干燥的温度为40
‑
60摄氏度；加热干燥时间100
‑ꢀ
300秒。
[0010]根据本专利技术的一个实施方案，所述的步骤(4)、除静电处理，对N型外延片的处理时间为400
‑
800秒；对P型外延片的处理时间为800
‑
1500秒。
[0011]根据本专利技术的一个实施方案，所述外延片为N型外延片时，所述的步骤(1)中的清洗，包括步骤：
[0012]使用浓度为25％
‑
40％的HF室温下清洗80
‑
100秒；在溢流槽中，使用纯水在室温下清洗 60
‑
200秒；再使用浓度为31％的双氧水，在75摄氏度下清洗400
‑
700秒；然后在溢流槽中，使用纯水在室温下清洗60
‑
200秒。
[0013]根据本专利技术的一个实施方案，所述N型外延片电阻率<1.5ohm
‑
cm时，所述步骤(1)还包括使用显影液处理90
‑
200秒。
[0014]根据本专利技术的一个实施方案，所述外延片为P型外延片时，所述的步骤(1)中的清洗，包括步骤：使用浓度为25％
‑
40％的HF室温下清洗80
‑
100秒；在溢流槽中，使用纯水在室温下清洗60
‑
200秒。
[0015]根据本专利技术的一个实施方案，在所述溢流槽中使用清水清洗时，每隔20
‑
40秒将溢流槽内的清水排空一次。
[0016]根据本专利技术的一个实施方案，溢流槽内的清水在5
‑
15秒内排空。
[0017]本专利技术中外延片阻值测量前处理方法，溢流槽工艺变为溢流+快排工艺，保证晶片表面酸碱残留被冲洗干净，免于影响量测效果；利用除静电处理，消除晶片表面的静电以及悬挂键，减少阻值量测的影响。经本专利技术中的外延片阻值测量前处理方法处理后的外延片，其阻值均一性<1.5％，相对于业内要求<3％的指标，完全符合要求。
具体实施方式
[0018]下面结合实施例对本专利技术进行详细的描述：
[0019]外延片阻值测量前处理方法，其包括步骤：
[0020](1)、清洗；(2)、甩干；(3)加热干燥；(4)除静电。
[0021]根据本专利技术的一个实施方案，所述外延片为N型外延片时，所述的步骤(1)中的清洗，包括步骤：使用浓度为25％
‑
40％的HF室温下清洗80
‑
100秒；在溢流槽中，使用纯水在室温下清洗60
‑
200秒；再使用浓度为31％的双氧水，在70
‑
80摄氏度下清洗400
‑
700秒；然后在溢流槽中，使用纯水在室温下清洗60
‑
200秒。
[0022]所述N型外延片阻值<1.5ohm
‑
cm时，所述步骤(1)还包括使用显影液处理90
‑
200秒。
[0023]根据本专利技术的一个实施方案，所述步骤(2)和步骤(3)同时进行，在甩干的同时加热干燥并除静电。
[0024]所述加热干燥采用氮气加热干燥。所述加热干燥的温度为40
‑
60摄氏度；加热干燥时间 100
‑
300秒。
[0025]所述的步骤(4)除静电处理，对N型外延片的处理时间为400
‑
800秒；对P型外延片的处理时间为800
‑
1500秒。
[0026]根据本专利技术的一个实施方案，所述外延片为P型外延片时，所述的步骤(1)中的清洗，包括步骤：使用浓度为25％
‑
40％的HF室温下清洗80
‑
100秒；在溢流槽中，使用纯水在室温下清洗60
‑
200秒。
[0027]根据本专利技术的一个实施方案，在所述溢流槽中使用清水清洗时，每隔20
‑
40秒将溢流槽内的清水排空一次。
[0028]根据本专利技术的一个实施方案，溢流槽内的清水在5
‑
15秒内排空。
[0029][0030][0031]经检测，使用本专利技术方法后检测外延片的电阻率，结果如下：
[0032][0033]本专利技术中外延片阻值测量前处理方法，溢流槽工艺变为溢流+快排工艺，保证晶片表面酸碱残留被冲洗干净，免于影响量测效果；利用除静电处理，消除晶片表面的静电以及悬挂键，减少阻值量测的影响。经本专利技术中的外延片阻值测量前处理方法处理后的外延片，其阻值均一性<1.5％，相对于业内要求<3％的指标，完全符合要求。
[0034]本专利技术中的实施例仅用于对本专利技术进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其它实质上等同的替代，均在本专利技术保护范围内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.外延片阻值测量前处理方法，其特征在于，包括步骤：(1)、清洗；(2)、甩干；(3)加热干燥；(4)除静电。2.根据权利要求1所述的外延片阻值测量前处理方法，其特征在于，所述步骤(2)和步骤(3)同时进行，在甩干的同时加热干燥并除静电。3.根据权利要求1或2所述的外延片阻值测量前处理方法，其特征在于，所述加热干燥采用氮气加热干燥。4.根据权利要求1或2所述的外延片阻值测量前处理方法，其特征在于，所述加热干燥的温度为40
‑
60摄氏度；加热干燥时间100
‑
300秒。5.根据权利要求1所述的外延片阻值测量前处理方法，其特征在于，所述的步骤(4)除静电处理，对N型外延片的处理时间为400
‑
800秒；对P型外延片的处理时间为800
‑
1500秒。6.根据权利要求1所述的外延片阻值测量前处理方法，其特征在于，所述外延片为N型外延片时，所述的步骤(1)中的清洗，包括步骤：使用浓度为25％
‑
40％的HF室温下清洗80
‑
100秒；在溢流槽中，使用纯水在室温下清洗60
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴勇，张晓艳，顾广安，
申请(专利权)人：上海晶盟硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：