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本公开提供的三维存储器的形成方法包括如下步骤：形成衬底、以及堆叠层，堆叠层包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层的厚度为D1，第一半导体层中包括多个沟道区域、以及沿第一方向分布于每一沟道区域的相对两侧的第一区域和第二区域，第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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