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本公开涉及一种基于硅通孔的MEMS传感器集成装置及其制造方法。装置包括：垂直堆叠的多个传感器和传感器之间的互连层，各传感器包括传感器主体和承载传感器主体且设置有多个硅通孔的基体；传感器主体的测试电极位于基体的上方并连接到对应的各硅通孔、敏感...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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